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电子元器件详细资料 » IC[28399] » SUP85N10-10P-GE3
型号:SUP85N10-10P-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-220-3描述:MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)100V
电流_连续漏极(Id)0a025000C85A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C10 毫欧 @ 20A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs120nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds4660pF @ 50V
功率_最大3.75W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装TO-220AB
包装带卷 (TR)

供应商

中科航芯(深圳)科技有限公司李18927479189
深圳市恒意法电子有限公司朱小姐 刘小姐18026926850/0755-83247709/0755-83247721
深圳市华斯顿电子科技有限公司朱咸华0755-83777708/83777607/82799993
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SUP85N10-10P-GE3相关型号

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